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34mm2 紫外线光电二极管，抑制近红外线，金属封装

DUV Photodiodes

产品编码 #84-599 4 库存

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RMB 1,137.01

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本价格为含税价

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规格

概况

上升时间 (μs) :

2 @ 0 V, 1 kΩ

物理和机械特性

有效显示区大小 (mm):

5.8 x 5.8

有效区 (mm²) :

34.0

光学特性

峰值响应波长 (nm) :

720.00

电气性能

980nm时的响应度 (A/W) :

0.36

V=-10mV时的分流电阻 (GΩ) :

Minimum: 0.5
Typical: 5

633nm时的响应度 (A/W) :

0.34

200nm时的响应度 (A/W) :

0.12

V_R=0V时的电容 (pF) :

800.00

噪声等效功率NEP (W/ Hz^1/2) :

1.6 x 10^-14 @ 0 V, 200nm

最大反向电压 (V) :

5.00

硬件与接口连接

连接器:

TO-8

环境和耐用性因素

工作温度 (°C):

-20 to +60

存储温度 (°C):

-55 to +80

合规性

Certificate of Conformance:

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产品概览

绝佳UV灵敏度
高分流电阻
低电容

深紫外光电二极管非常适合用于各种应用，其中包括紫外分光光度法以及分析仪器和医疗仪器。深紫外光电二极管设计用于增强200 – 400nm的响应度，同时将灵敏度扩展到190nm。深紫外光电二极管具有石英窗口片，并拥有金属或陶瓷外壳。同时也备有可抑制NIR性能的型号可供选择。

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