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34mm2 紫外线光电二极管,抑制近红外线,金属封装

DUV Photodiodes

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产品编码 #84-599
RMB 966.15
数量 1-4
RMB 966.15
数量 5+
RMB 855.98
含税批量价格
索取报价
200nm时的响应度 (A/W) :
0.12
633nm时的响应度 (A/W) :
0.34
980nm时的响应度 (A/W) :
0.36
VR=0V时的电容 (pF) :
800.00
噪声等效功率NEP (W/ Hz1/2) :
1.6 x 10-14 @ 0 V, 200nm
有效区 (mm2) :
34.0
有效显示区大小 (mm):
5.8 x 5.8
连接器:
TO-8
最大反向电压 (V) :
5.00
峰值响应波长 (nm) :
720.00
上升时间 (μs) :
2 @ 0 V, 1 kΩ
V=-10mV时的分流电阻 (GΩ) :
Minimum: 0.5
Typical: 5
工作温度 (°C):
-20 to +60
存储温度 (°C):
-55 to +80

合规性

产品系列说明

  • 绝佳UV灵敏度
  • 高分流电阻
  • 低电容

深紫外光电二极管非常适合用于各种应用,其中包括紫外分光光度法以及分析仪器和医疗仪器。深紫外光电二极管设计用于增强200 – 400nm的响应度,同时将灵敏度扩展到190nm。深紫外光电二极管具有石英窗口片,并拥有金属或陶瓷外壳。同时也备有可抑制NIR性能的型号可供选择。

 
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