1mm Dia., Four-Element Segmented InGaAs Photodiode

#17-077, 1mm Dia., Four-Element Segmented InGaAs Photodiode

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工作温度 (°C):
-40 to +75
有效显示区大小 (mm):
1 Dia.
存储温度 (°C):
-55 to +125
1310nm时的响应度 (A/W) :
0.85 minimum / 0.9 typical
1550nm时的响应度 (A/W) :
0.9 minimum / 0.95 typical
VR=5V时的上升/下降时间 (ns) :
3 (typical)
VR=5V时的电容 (pF) :
25
噪声等效功率NEP (W/ Hz1/2) :
1.20 x 10-14 @ 1550nm
最大反向电压 (V) :
15
连接器:
TO-5
VR=5V时的暗电流 (nA) :
Maximum: 15 Typical: 0.5
Element Gap (mm):
0.045

合规性

Certificate of Conformance:

产品系列说明

分段 InGaAs 光电二极管的特点是将大的有源区分成四个独立的元件。这些光电二极管的四个元件具有高响应均匀性和低串扰,使其可用于精确调零或定心应用。这些光电二极管随时间和温度保持稳定,提供 900 - 1700nm 的响应度,在 1100 - 1620nm 之间具有优异的响应。分段 InGaAs 光电二极管非常适用于近红外光谱中的位置检测、光束对准和光束分析应用。每个光电二极管都封装在带有抗反射镀膜窗口片的隔离 TO-5 或 TO-8 罐中,以提高吞吐量。

 
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