1mm Dia., Four-Element Segmented InGaAs Photodiode

含税批量价格
数量 1-4	RMB 2,653.01 each
数量 5-9	RMB 2,370.97 each
数量 10-24	RMB 2,194.69 each
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规格

概况

V_R=5V时的上升/下降时间 (ns) :

3 (typical)

物理和机械特性

有效显示区大小 (mm):

1 Dia.

Element Gap (mm):

0.045

电气性能

1310nm时的响应度 (A/W) :

0.85 minimum / 0.9 typical

1550nm时的响应度 (A/W) :

0.9 minimum / 0.95 typical

V_R=5V时的电容 (pF) :

25

噪声等效功率NEP (W/ Hz^1/2) :

1.20 x 10^-14 @ 1550nm

最大反向电压 (V) :

15

V_R=5V时的暗电流 (nA) :

Maximum: 15 Typical: 0.5

硬件与接口连接

连接器:

TO-5

环境和耐用性因素

工作温度 (°C):

-40 to +75

存储温度 (°C):

-55 to +125

合规性

Certificate of Conformance:

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产品概览

四个单独的活动区域元素
高响应均匀性和低串扰
位置检测和光束对准的理想选择
另外提供分段硅光电二极管和 InGaAs 光电二极管

分段 InGaAs 光电二极管的特点是将大的有源区分成四个独立的元件。这些光电二极管的四个元件具有高响应均匀性和低串扰，使其可用于精确调零或定心应用。这些光电二极管随时间和温度保持稳定，提供 900 - 1700nm 的响应度，在 1100 - 1620nm 之间具有优异的响应。分段 InGaAs 光电二极管非常适用于近红外光谱中的位置检测、光束对准和光束分析应用。每个光电二极管都封装在带有抗反射镀膜窗口片的隔离 TO-5 或 TO-8 罐中，以提高吞吐量。

技术数据