Coherent® LightSmyth™ 855nm, 200nm Groove Depth, 12.5mm Sq. Linear Silicon Nanostamp

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产品编码 #16-855 6-10 工作日
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Period (nm):
855 ±42.75
Groove Depth (nm):
200 ±30
Line Width (nm):
425
尺寸 (mm):
12.50 x 12.50
有效孔径 CA(mm):
11.50 x 11.50
涂层:
Uncoated
构造 :
RIE Grating
长度 (mm):
12.50
型号:
1304075
基底: Many glass manufacturers offer the same material characteristics under different trade names. Learn More
Single Crystal Silicon
表面质量:
60-40 (within CA)
厚度 (mm):
0.68 ±0.05
类型:
Nanopatterned Silicon Stamp
宽度 (mm):
12.50

合规性

Certificate of Conformance:

产品系列说明

  • 纳米级纹理凹槽表面
  • 可变凹槽周期和凹槽深度
  • 纳米光子学研究应用的理想选择

Coherent® LightSmyth™ 纳米图案硅印章由在单晶硅基板上形成图案的纳米级纹理表面组成。通过反应离子蚀刻,具有梯形横截面的线性凹槽被蚀刻到基板表面,类似于传统的光栅。蚀刻工艺可为这些凹槽提供不同的周期和深度规格,以及更复杂的图案,例如晶格。II-VI LightSmyth™ 纳米图案硅印章是光学和光子学、生物学、化学、纳米压印和微流体领域的纳米光子学研究应用的理想选择。

请注意: II-VI Incorporated 已变更为 Coherent Corp.

SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
 
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