铟镓砷光电二极管（InGaAs ）

铟镓砷光电二极管（InGaAs ）在 900 纳米到 1700 纳米波长范围内具有极佳的响应度，有源区范围从 0.07 毫米到 3.0 毫米不等。光电二极管的有源区尺寸小于 1 毫米，在 1100 纳米到 1620 纳米波长范围内具有低电容、低暗电流和高响应度的特点，适用于高速数据通信和电信应用。光电二极管的有源区尺寸在 1 毫米及以上，具有大有源区、低噪声和高分流电阻的特点，可实现对微弱信号的高灵敏度。InGaAs 光电二极管采用 TO-46、TO-18 或 TO-5 封装，根据不同封装带有球透镜或双面增透镀膜窗口片。这些光电二极管是多种研究和 OEM 应用的理想之选，包括红外激光对准、医疗诊断和化学分析。

请注意: 为了确保入射光的中心位置，建议使用 聚焦透镜 或 针孔，因为光电二极管芯片边缘的不均匀性会导致探测器响应率降低。